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inp（磷化铟）晶体基片

发布时间： 2024-03-30 22:24:45 浏览次数：1889

产品介绍：

inp非常适用于高频器件，如高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管(hbt)等方面。inp基器件在笔米波、通讯、防撞系统、图像传感器等领域有广泛应用。

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产品名称	磷化铟(inp)晶体基片
技术参数	晶体结构:立方晶系
	晶格常数:a=5.4505å
	掺杂:none;sn;s;fe:zn
	密度:4.81g/cm3
	硬度:3 hohs
	导电类型:n;n;n;si;p
	折射率:3.45
	载流子浓度:1-2x10161-4x10181-3x1018.64x1018
	位错密度:<5x104 cm-2
	生长方法:lec
	熔点:1062℃
	弹性模量:7.1e1ldymcm-2
产品规格	常规晶向:
	常规尺寸:2″~x0. 5mm10x10x0.5mm
	抛光情况:单抛
	表面粗糙度:15a
	注:只寸及方向可按照客户要求定做
晶体缺陷	人工金属单晶存在常见晶体缺陷，表面可能会有小黑点，微小气泡等
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理

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