ga:zno晶体
发布时间： 2024-03-23 19:26:48 浏览次数：1184
产品介绍：
ga:zno晶体新一代宽禁带，直接带隙的多功能 ii-v 族半导体材料，具有优秀的光电、压电、气敏、压敏等特性。
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产品名称 | ga:zno晶体基片 |
技术参数
| 晶体结构：六方晶系 |
晶格常数： a= 3.252 å , c = 5.313 å | |
熔点：1975℃ | |
硬度：4 mohs | |
密度：~5.7 g/cm3 | |
带隙：3.37ev | |
介电常数：8.5 | |
比热容：0.125 cal/gm | |
导电性：n type | |
导热系数：0.006 cal/cm/ ok | |
热膨胀系数：2.90 x 10-6/ok | |
位错密度：< 4 x 104 /cm2 | |
产品规格
| 常规晶向： (0001) |
常规尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm | |
表面粗糙度：<5a | |
注：尺寸可按照客户要求定做。 | |
晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装 | 1000级超净室100级超净袋真空包装 |
咨询热线：400-000-3746
销售热线： 0371-6320 2801
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高经理: 188-3829-0747
黄经理: 188-3829-0748
email： nbd@nbdkj.com
地址：郑州·新郑·新华街道竹园8号
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