ain(氮化铝)单晶衬底
发布时间: 2024-03-16 17:29:38 浏览次数:1625
产品介绍:
ain单晶衬底是一种具有特殊性能的宽禁带半导体材料。
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                晶体结构:  | 六方晶系  | 
晶格常数:  | a=3.112å;c=4.982å  | 
密度:  | 3.23g/cm3  | 
热导率:  | 285w/mk  | 
可用区域:  | >80%  | 
epd :  | <1e5 cm-2  | 
吸收系数:  | <80 cm-1  | 
常规晶向:  | c平面(0001  | 
常规晶向:  | 士1°  | 
晶向公差:  | 10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm  | 
常规尺寸:  | 双抛  | 
抛光情况:  | a1面:cp抽光(rms<0.8nm)  | 
抛光面粗糙度:  | n面:光学抛光(rms<3nm)  | 
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